Influence de la position du substrat dans le processus de la déposition du diamant de la phase vapeur dans la méthode du jet de plasma 

Miroljub Vilotijević

Marija Krmar

 

On a étudié  l’influence de la position du substrat sur la morphologie , la vitesse de déposition, la surface des films de diamant déposés et aussi sur leur pureté de phase alors que tous les autres paramètres du processus (le rapport CH4 /H2, la force du plasma, ma pression dans la chambre et la température du substrat) étaient constants. Avec l’augmentation de la distance de déposition à partir de l’ouverture d’anode plasmatron un changement important se produit dans la morphologie du dépôt( de cristalline jusqu’à la forme de balle) la vitesse de déposition diminue et la surface couverte de dépôt augmente. Les résultats de la diffraction des rayons X (XRD) démontrent que tous les dépôt représentent le diamant de phase pur. L’explication pour le diamant de phase pur peut se trouver dans la grande enthalpie du plasma utilisé ce qui démontre une grande concentration de l’oxygène atomique qui est très efficace à cause de sa réactivité dans l’action de l’eau forte des phases non diamants.

Mots clés: diamant, déposition chimique de vapeur, jet de plasma.